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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：本公开提供了包括具有焊盘区域的栅极图案的半导体器件。一种半导体器件包括：栅极图案，设置在下结构之上，并包括栅极电极区域和从栅极电极区域延伸的栅极焊盘区域；以及垂直沟道半导体层，具有面对栅极图案的栅极电极区域的侧表面。栅极焊盘区域包括具有比栅极电极区域的厚度大的厚度的第一焊盘区域。第一焊盘区域包括上表面、与上表面相反的下表面、以及外侧表面。外侧表面具有由边界部分彼此划分的下外侧表面和上外侧表面。下外侧表面从下表面延伸，并且下外侧表面和下表面的连接部分具有圆化的形状。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一栅极图案，在下结构之上；第二栅极图案，在所述第一栅极图案之上；层间绝缘层，在所述第一栅极图案和所述第二栅极图案之间，以及接触插塞，在所述第一栅极图案上，其中，所述第一栅极图案包括在沿垂直方向上与所述第二栅极图案重叠的栅极电极区域以及从所述栅极电极区域延伸的栅极焊盘区域，所述栅极焊盘区域包括具有比所述栅极电极区域的厚度大的厚度的第一焊盘区域，其中，所述第一焊盘区域包括下区域和在所述下区域上的上区域，其中，所述下区域与上区域相比在横向方向上进一步突出；其中，所述横向方向是从所述栅极电极区域朝向所述栅极焊盘区域的方向，其中，所述下区域包括具有凸起的形状的下外侧表面，其中，所述接触插塞与所述第一栅极图案的栅极焊盘区域接触并与所述第二栅极图案间隔开；并且其中，所述栅极焊盘区域的第一焊盘区域的宽度大于所述接触插塞的宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括具有焊盘区域的栅极图案的半导体器件
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