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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：提供了处理金属栅极的方法、制造半导体装置的方法、及蚀刻金属的方法，诸如用于处理金属栅极的方法。一种用于蚀刻金属的方法包含在金属上方形成硬遮罩，其中硬遮罩包含界定开口的侧壁；以及进行包含将氮化碳膜沉积于侧壁上及蚀刻金属的循环的电浆蚀刻工艺。
主权项：1.一种用于处理一金属栅极的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：在一半导体基板上方形成一金属栅极线；在该金属栅极线上方使一硬遮罩图案化，其中该硬遮罩中的一开口位于该金属栅极线的将要移除的一区上方，且其中该硬遮罩包含界定该开口的多个侧壁；以及穿过该开口进行一电浆蚀刻工艺，其中该电浆蚀刻工艺包含用于将一氮化碳材料沉积于该硬遮罩的所述多个侧壁上的一CH4N2沉积步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 处理金属栅极的方法、制造半导体装置的方法、及蚀刻金属的方法
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