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申请/专利权人：阿尔玛伊技术有限公司;国家科学研究中心;巴黎-萨克雷大学

摘要：本公开涉及一种被配置为探测给定波长范围内的入射光的金属‑半导体‑金属光电探测器，该金属‑半导体‑金属光电探测器包括：吸收半导体层325；第一半导体层321，该第一半导体层321由第一半导体材料制成并且与所述吸收半导体层电接触；与第一半导体层321电接触的第一金属电极340，该第一金属电极340被配置为与第一半导体层321产生电子肖特基结，其中，第一半导体层被布置在所述第一金属电极和吸收半导体层之间；第二半导体层322，该第二半导体层322由不同于第一半导体材料的第二半导体材料制成并且与所述吸收半导体层电接触；与第二半导体层电接触的第二金属电极330，该第二金属电极330被配置为与第二半导体层产生空穴肖特基结，其中，第二半导体层被布置在所述第二金属电极和吸收半导体层之间。

主权项：1.一种金属-半导体-金属光电探测器，被配置为探测给定波长范围内的入射光，所述金属-半导体-金属光电探测器包括：吸收半导体层325，该吸收半导体层325被配置为吸收所述给定波长范围内的光；第一半导体层321，该第一半导体层321由具有第一带隙的第一半导体材料制成并且与所述吸收半导体层电接触；第一金属电极340，该第一金属电极340被配置为电连接到电压发生器的负极，其中，所述第一金属电极340与所述第一半导体层321电接触；所述第一半导体层321被布置在所述第一金属电极340与所述吸收半导体层325之间；并且所述第一金属电极340和所述第一半导体层321被配置为在施加偏置电压的情况下产生电子肖特基结，其中，所述电子肖特基结具有电子所看到的电子肖特基势垒φe，该电子肖特基势垒φe大于所述第一半导体材料的所述第一带隙的一半；第二半导体层322，该第二半导体层322由不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料制成并且具有第二带隙，其中，所述第二半导体层与所述吸收半导体层电接触；第二金属电极330，该第二金属电极330被配置为电连接到所述电压发生器的正极，其中，所述第二金属电极340与所述第二半导体层电接触；所述第二半导体层322被布置在所述第二金属电极330与所述吸收半导体层325之间；并且所述第二金属电极330和所述第二半导体层322被配置为在施加偏置电压的情况下产生空穴肖特基结，其中，所述空穴肖特基结具有所述空穴所看到的空穴肖特基势垒φh，该空穴肖特基势垒φh大于所述第二半导体材料的所述第二带隙的一半。

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