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一种晶圆缺陷杀伤率预估方法、系统、设备、介质及产品 

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申请/专利权人:上海朋熙半导体有限公司

摘要:本申请涉及信息技术领域,提供一种晶圆缺陷杀伤率预估方法、系统、设备、介质及产品。本申请的晶圆缺陷杀伤率预估方法包括:获取当前加工阶段的晶圆数据;将当前加工阶段的晶圆数据进行特征工程处理和特征提取处理,得到当前加工阶段的晶圆数据的特征数据;将当前加工阶段的晶圆数据的特征数据发送至训练完成的晶圆杀伤率监测回归模型中,得到预测结果;将预测结果进行归一化处理,得到晶圆缺陷杀伤率预估结果;其中,训练完成的晶圆杀伤率监测回归模型的历史数据样本集是根据加工阶段的晶圆数据和对应的CP测试结果获取的。通过上述配置方式,本申请能够在半导体芯片加工过程中,对每一个加工过程中晶圆的杀伤率进行实时监测。

主权项:1.一种晶圆缺陷杀伤率预估方法,其特征在于,包括:获取当前加工阶段的晶圆数据;将所述当前加工阶段的晶圆数据进行特征工程处理和特征提取处理,得到所述当前加工阶段的晶圆数据的特征数据;将所述当前加工阶段的晶圆数据的特征数据发送至训练完成的晶圆杀伤率监测回归模型中,得到预测结果;将所述预测结果进行归一化处理,得到晶圆缺陷杀伤率预估结果;其中,所述训练完成的晶圆杀伤率监测回归模型的历史数据样本集是根据加工阶段的晶圆数据和对应的CP测试结果获取的。

全文数据:

权利要求:

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