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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置可以包括栅极结构，该栅极结构包括交替地层叠的导电层和第一绝缘层。形成在栅极结构中的锥状支撑件具有在栅极结构的第一高度处的第一宽度和在栅极结构的第二高度处的小于第一宽度的第二宽度。锥状接触结构在栅极结构中位于锥状支撑件之间，锥状接触结构具有在第一高度处的第三宽度和在第二高度处的大于第三宽度的第四宽度。栅极结构锥体和接触结构锥体是彼此的“镜像”。
主权项：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：栅极结构，该栅极结构包括交替地层叠的导电层和绝缘层；锥状支撑件，所述锥状支撑件延伸穿过所述栅极结构的层，每个锥状支撑件具有在所述栅极结构的第一高度处的第一宽度和在所述栅极结构的第二高度处的第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度；以及锥状接触结构，该锥状接触结构在所述栅极结构内位于所述锥状支撑件之间，所述锥状接触结构具有在所述栅极结构的所述第一高度处的第三宽度和在所述栅极结构的所述第二高度处的大于所述第三宽度的第四宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置及半导体装置的制造方法
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