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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请涉及堆叠半导体装置。提供一种半导体装置，所述半导体装置可包含衬底，以及耦合到所述衬底的半导体裸片的第一和第二堆叠。半导体裸片的所述第一堆叠和半导体裸片的所述第二堆叠交错，使得半导体裸片的所述第一堆叠具有第一覆盖区，且半导体裸片的所述第二堆叠具有与所述第一覆盖区部分地重叠的第二覆盖区。半导体裸片的所述第一堆叠和半导体裸片的所述第二堆叠交替，使得半导体裸片的所述第一堆叠的每一半导体裸片竖直安装到半导体裸片的所述第二堆叠的相应半导体裸片。导电结构在半导体裸片的所述第一和第二堆叠的分别暴露超出所述第二覆盖区和所述第一覆盖区的部分之间延伸，以电耦合所述半导体裸片。
主权项：1.一种半导体装置组合件，其包括：衬底；半导体裸片的第一堆叠，其耦合到所述衬底使得半导体裸片的所述第一堆叠具有第一覆盖区；半导体裸片的第二堆叠，其耦合到所述衬底使得半导体裸片的所述第二堆叠具有与所述第一覆盖区部分地重叠的第二覆盖区，其中半导体裸片的所述第一堆叠和半导体裸片的所述第二堆叠布置成交替图案，使得半导体裸片的所述第一堆叠中的第一半导体裸片中的每一者竖直安装到半导体裸片的所述第二堆叠中的第二半导体裸片中的相应第二半导体裸片并与所述相应第二半导体裸片直接接合，且其中半导体裸片的所述第一堆叠和半导体裸片的所述第二堆叠交错，使得所述第一半导体裸片中的每一者的第一暴露部分暴露超出所述第二覆盖区，且所述第二半导体裸片中的每一者的第二暴露部分暴露超出所述第一覆盖区；第一导电结构，其在所述第一暴露部分处在相邻对的所述第一半导体裸片之间延伸，所述第一导电结构电耦合半导体裸片的所述第一堆叠；以及第二导电结构，其在所述第二暴露部分处在相邻对的所述第二半导体裸片之间延伸，所述第二导电结构电耦合半导体裸片的所述第二堆叠。
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