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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明公开了一种鳍顶处理方法、场效应管及离子注入装置；针对ISSG方法在各向异性晶面处理速率不同的问题，公开了一种消除上述氧化层生成缺陷的处理方法；其核心在于通过鳍顶隔离层的作用，在鳍顶的转角区域倾斜注入预设浓度的改性材料，将鳍顶各向异性的环境转换为各向同性或类似的均衡状态。由于隔离层的存在，上述倾斜注入过程只影响鳍顶未被隔离部分的相关特性，对于以SiN为隔离材料的结构，存在隔离的区域可以保持原有的各向异性不变；由于本发明实施例公开的方法可在现有设备或制程中进行推广，且无需增加光罩；因此，相关改善过程的实施细节，可与现有系统紧密集合。

主权项：1.一种鳍顶处理方法，其特征在于，构造至少二鳍状结构（100）于衬底（200）之上；所述鳍状结构（100）与所述衬底（200）由第一基底材料构造；所述鳍状结构（100）顶端自所述衬底（200）侧依次构造有第一介质层（101）和第二介质层（102）；所述第一介质层的厚度为第一介质厚度；所述第二介质层的厚度为第二介质厚度；所述鳍状结构（100）构造有第一沟道（201、202、203、204）；拓展所述第一介质层（101）至所述鳍状结构（100）表层；覆盖所述第一介质层（101）于所述鳍状结构（100）表层后，再构造第三介质层（103）；所述第三介质层（103）覆盖所述第二介质层（102）及所述第一介质层（101）在所述第一沟道（201、202、203、204）内的部分之上；填充第四介质层（104）于所述第一沟道（201、202、203、204）内的所述第三介质层（103）之上直至填满所述第一沟道（201、202、203、204）；抛光工件表面并回刻直至仅暴露出所述第二介质层（102）以获得第二沟道（301、302、303、304）；所述回刻同时去除了所述第三介质层（103）位于所述第二沟道（301、302、303、304）侧墙的部分；所述第二介质层（102）被打开并位于所述鳍状结构（100）顶层；植入非晶体（401、402、403）于所述鳍状结构（100）顶端转角位置预设的第一植入深度以仅使得顶端转角位置非晶化；打开所述鳍状结构（100）预设的第一鳍深度（501），具体包括：先去除所述第二介质层（102），再去除所述第四介质层（104）、并去除所述第三介质层（103）与所述第一介质层（101）直至所述鳍状结构（100）暴露部分达到所述第一鳍深度（501），以实现鳍顶调质操作。

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