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申请/专利权人：珠海铖特新材料技术有限公司
摘要：本发明涉及一种半嵌入银纳米线复合透明电极及其制备方法，所述复合透明电极以PET膜为基底，在PET膜表面设有银纳米线导电膜，以及羟乙基纤维素膜，银纳米线导电膜由银纳米线密集交叉接触形成网络结构，羟乙基纤维素膜填充于银纳米线导电膜内，且羟乙基纤维素膜厚度小于银纳米线导电膜的厚度，使银纳米线半嵌于羟乙基纤维素膜内。本发明提供的半嵌入银纳米线复合透明电极透光率≥85％，方阻≤15Ωsq，不但表现出优异的光电性能，其化学稳定性以及机械柔韧性相较于AgNWs‑PET电极也更为优异，具有良好的市场应用前景。
主权项：1.一种半嵌入银纳米线复合透明电极，其特征在于，所述复合透明电极以PET膜为基底，在PET膜表面设有银纳米线导电膜，以及羟乙基纤维素膜，银纳米线导电膜由银纳米线密集交叉接触形成网络结构，羟乙基纤维素膜填充于银纳米线导电膜内，且羟乙基纤维素膜厚度小于银纳米线导电膜的厚度，使银纳米线半嵌于羟乙基纤维素膜内。
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百度查询： 珠海铖特新材料技术有限公司 一种半嵌入银纳米线复合透明电极及其制备方法
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