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含有噻唑结构的共轭聚合物及其制备方法和应用 

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申请/专利权人:广东工业大学

摘要:本发明公开了一种含有噻唑结构的共轭聚合物及其制备方法和应用,涉及有机半导体材料技术领域;含有噻唑结构的共轭聚合物的通式结构如下所示:。其以噻唑杂环单元为受体单元,经噻吩单元的π桥与给体单元连接,形成具有噻唑杂环的共轭结构,具有优异的热稳定性能、光学吸收性能和电化学性能。噻唑杂环单元化学稳定性高,拥有较强的吸电子能力,有利于调节光学吸收、能级和混合薄膜形貌。苯并杂环的给体单元能够与受体单元产生协同作用,提高电化学性能。其应用于太阳能电池器件时,开路电压达到0.90V,短路电流密度达到24.64mAcm2,填充因子达到79.09%,能量转化效率达17.61%。

主权项:1.一种含有噻唑结构的共轭聚合物,其特征在于,其通式结构如式Ⅱ或Ⅲ所示: (式Ⅱ) (式Ⅲ)其中,n为2~200的整数;R1、R2、R3和R4独立选自C4-C20的直链烷基、支链烷基和环状烷基及其衍生烷基;所述衍生烷基为其中一个或多个碳原子被氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基、硝基取代,或其中一个或多个氢原子被氟原子、氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代;X1选自氢、氯、氰基和硝基;X2选自氢、氟和氯。

全文数据:

权利要求:

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