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申请/专利权人:福建华佳彩有限公司
摘要:本发明提供一种Demux电路结构及显示面板,其中Demux电路结构包括Demux连接线与多组薄膜晶体管,每一组薄膜晶体管包含有两个以上的薄膜晶体管;所述薄膜晶体管包括栅极金属、绝缘层、半导体层、源极金属和漏极金属,绝缘层设置在栅极金属和Demux连接线上,半导体层设置在绝缘层上,并位于栅极的区域;Demux连接线与薄膜晶体管的栅极金属连接;多组薄膜晶体管按行列排布,每一组内的不同薄膜晶体管处在不同行,且相邻组之间处于同一行的薄膜晶体管的栅极金属通过一条Demux连接线相连接,源极金属和漏极金属的连接线跨过Demux连接线连接到Demux电路结构的外侧。上述技术方案提高了屏幕的屏占比,降低Demux电路上的Cgd寄生电容。
主权项:1.一种Demux电路结构,其特征在于,包括Demux连接线与多组薄膜晶体管,每一组薄膜晶体管包含有两个以上的薄膜晶体管;所述薄膜晶体管包括栅极金属、绝缘层、半导体层、源极金属和漏极金属,绝缘层设置在栅极金属和Demux连接线上,半导体层设置在绝缘层上,并位于栅极的区域,所述源极金属和漏极金属位于半导体层上;Demux连接线与薄膜晶体管的栅极金属连接;多组薄膜晶体管按行列排布,每一组内的不同薄膜晶体管处在不同行,且相邻组之间处于同一行的薄膜晶体管的栅极金属通过一条Demux连接线相连接,源极金属和漏极金属的连接线跨过Demux连接线连接到Demux电路结构的外侧;所述源极金属和漏极金属的连接线包括多条源极信号线和多条像素信号线;每一条的像素信号线分别连接一个薄膜晶体管的源极金属或者漏极金属;每一条的源极信号线连接一组薄膜晶体管的所有漏极金属或者源极金属;每一组内的薄膜晶体管在行方向上间隔设置,且在列方向上为部分重叠;每一组内的包括三个薄膜晶体管,三个薄膜晶体管在列方向上依次位于左、中、右侧。
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