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高电子移动率晶体管及其制造方法 

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申请/专利权人:易达通科技股份有限公司

摘要:一种高电子移动率晶体管及其制造方法。高电子移动率晶体管包含基体、晶体管单元及导电结构。基体包括位于两相反侧的第一面及第二面。晶体管单元包括结合于第一面的复合半导体层,及设置于复合半导体层远离第一面的一侧面的电极组件。电极组件具有栅极电极、源极电极及漏极电极。导电结构包括附着于第二面的背电极,及两相反端分别电连接栅极电极与背电极的衔接电极。通过衔接电极将栅极电极与背电极电导通,以缩短栅极电极接地的电路路径,进而减少栅极电极处的寄生电感或寄生电容,达到高电子移动率晶体管的开关切换速度提升的效果。

主权项:1.一种高电子移动率晶体管,其特征在于:所述高电子移动率晶体管包含:基体,包括位于两相反侧的第一面及第二面;晶体管单元,包括结合于所述第一面的复合半导体层,及设置于所述复合半导体层远离所述第一面的一侧面的电极组件,所述电极组件具有栅极电极、分别位于所述栅极电极的前、后两侧的源极电极及漏极电极,所述栅极电极、所述源极电极与所述漏极电极彼此间隔;及导电结构,包括附着于所述第二面的背电极,及至少一个两相反端分别电连接所述栅极电极与所述背电极的衔接电极。

全文数据:

权利要求:

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