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申请/专利权人：株式会社FLOSFIA
摘要：本发明提供一种适合于半导体元件的层叠结构体、半导体元件、电力转换装置及控制系统。一种层叠结构体，具备表面具有沟道结构的第一氧化物层和沿着所述沟道结构层叠的第二氧化物层，所述第二氧化物层的底部的中心与侧壁部的中心的膜厚差异小于30％。
主权项：1.一种层叠结构体，其特征在于，所述层叠结构体具备表面具有沟道结构的第一氧化物层和沿着所述沟道结构层叠的第二氧化物层，所述第二氧化物层的底部的中心与侧壁部的中心的膜厚差异小于30％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社FLOSFIA 层叠结构体、半导体元件、电力转换装置及控制系统
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