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申请/专利权人：晶智达光电股份有限公司;晶元光电股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包括一永久基板；位于永久基板上的一外延结构，其上表面朝向该永久基板，下表面远离该永久基板，且依序包括一第一半导体结构、一活性结构和一第二半导体结构。由该激光元件的剖视图观之，第二半导体结构具有相对的第一侧边及第二侧边。激光元件包括一粘合层，位于永久基板与上表面之间。激光元件包括一第一连接层，位于上表面且远离第二半导体结构，且具有一第一凸出部由第一侧边向外延伸及一第二凸出部由第二侧边向外延伸。激光元件包括位于该下表面的一第一电极，其接触第一凸出部及第二凸出部，且环绕第一侧边及第二侧边。
主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包括：永久基板，具有第一侧面及第二侧面；外延结构，位于该永久基板上且包含半导体结构，该半导体结构具有第一侧边邻近该第一侧面及第二侧边邻近该第二侧面；第一连接层，位于该外延结构与该永久基板之间，且具有第一凸出部向外延伸超出该第一侧边及第二凸出部向外延伸超出该第二侧边；及第一电极，位于该第一连接层上，且接触该第一凸出部及该第二凸出部，该第一电极包含本体部及环绕部，该环绕部连结该本体部且覆盖该第一侧边及该第二侧边。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶智达光电股份有限公司 晶元光电股份有限公司 激光元件
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