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申请/专利权人：新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
摘要：本发明提供了一种高纯碳化硅粉料的免洗处理方法，包括以下步骤：A）将碳化硅块状料使用碳化钨材质的破碎机进行破碎，得到碳化硅颗粒料；B）将碳化硅颗粒料平铺装入石英盘，在含氧气体氛围下进行加热，得到高纯的碳化硅粉料。本发明破碎掺入金属杂质单一，碳化硅粉料表金属杂质含量更低；本发明中的方法简便高效：本发明免洗方法加工高纯碳化硅粉料，不需要经过磁选、漂洗、酸洗等步骤，提高了制备效率，降低生产成本；本发明中的方法可以有效去除碳化硅粉料中的细微碳化物，增加长晶的良率；综上所述，相对于现有技术，本发明具有制备方法简便高效、纯度更高，长晶效果更好等优越性。通过本发明，可以提高碳化硅粉料的加工效率和质量。
主权项：1.一种高纯碳化硅粉料的免洗处理方法，包括以下步骤：A）将碳化硅块状料使用碳化钨材质的破碎机进行破碎，得到碳化硅粉料；B）将碳化硅粉料平铺装入石英盘，在含氧气体氛围下进行加热，得到高纯的碳化硅粉料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 北京天科合达半导体股份有限公司 一种高纯碳化硅粉料的免洗处理方法
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