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申请/专利权人：钢铁研究总院有限公司
摘要：本发明涉及一种具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜及其制备方法和应用，属于半导体薄膜材料技术领域。所述具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜，以过渡金属离子为施主掺杂的方式，以陶瓷靶材为基础，采用激光脉冲沉积技术，制得具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜；半导体薄膜的化学成分符合化学通式Ti1‑xMxO2，M为过渡金属，选自ⅦB和Ⅷ族，其中0＜x≤0.1；并且在控制衬底材料的加热温度、激光的功率和氧分压等参数，提高金属和半导体之间的自旋注入效率，保证所得稀磁半导体薄膜的性能。
主权项：1.一种具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜，其特征在于，以过渡金属离子为施主掺杂的方式，以陶瓷靶材为基础，采用激光脉冲沉积技术，制得具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜；半导体薄膜的化学成分符合化学通式Ti1-xMxO2，M为过渡金属，选自ⅦB和Ⅷ族，其中0＜x≤0.1。
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百度查询： 钢铁研究总院有限公司 一种具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜及其制备方法和应用
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