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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明公开了一种不同晶面半导体单晶的挠曲电系数预测方法，包括以下步骤；步骤1.明确所选材料单晶晶体结构和空间点群；步骤2.明确所选材料挠曲电系数矩阵结构；步骤3.通过实验或者查询文献数据明确独立非零挠曲电张量具体数值，通过四元数法，明确预测所需预测晶面的局部坐标与全局坐标的转移矩阵；步骤4.推导进行坐标旋转后的独立挠曲电张量表达式形式，输出挠曲电系数二维和三维极坐标图。本发明能够在挠曲电微纳器件制造前对不同晶面的挠曲电系数进行预测，从而指导挠曲电微纳器件的生产制造，提高器件性能和生产效率。
主权项：1.一种不同晶面半导体单晶的挠曲电系数预测方法，其特征在于，包括以下步骤；步骤1.明确所选材料单晶晶体结构和空间点群；步骤2.明确所选材料挠曲电系数矩阵结构；步骤3.通过实验或者查询文献数据明确独立非零挠曲电张量具体数值，通过四元数法，明确预测所需预测晶面的局部坐标与全局坐标的转移矩阵；步骤4.基于张量转移步骤3所得旋转矩阵，利用张量坐标变换公式，明确进行坐标旋转后的独立挠曲电张量表达式形式，输出挠曲电系数二维和三维极坐标图。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种不同晶面半导体单晶的挠曲电系数预测方法
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