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一种硒纳米线材料及其制备方法 

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申请/专利权人:西北工业大学

摘要:本发明公开了一种硒纳米线材料的制备方法,以二氧化硅硅片为衬底,硒粉为生长原料,采用气相沉积法进行硒纳米线的沉积生长;沉积生长容器包括石英管,在所述的石英管内放置原料放置坩埚和衬底放置坩埚,原料放置坩埚位于石英管的进气口端,衬底放置坩埚位于石英管的出气口端;所述衬底的二氧化硅面朝下放在衬底放置坩埚上,硒粉放在原料放置坩埚中;加热进行硒纳米线的沉积生长。该实验工艺简单,成本低廉,所制备的硒纳米线质量高,硒纳米线可被用于药物传输、生物成像、光学传感以及光催化。

主权项:1.一种硒纳米线材料的制备方法,其特征在于,以二氧化硅硅片为衬底,硒粉为生长原料,采用气相沉积法进行硒纳米线的沉积生长;具体包括:沉积生长容器包括石英管,在所述的石英管内放置原料放置坩埚和衬底放置坩埚,原料放置坩埚位于石英管的进气口端,衬底放置坩埚位于石英管的出气口端;所述衬底的二氧化硅面朝下放在衬底放置坩埚上,硒粉放在原料放置坩埚中;加热进行硒纳米线的沉积生长。

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