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申请/专利权人：华南理工大学;广东祥新光电科技有限公司;深圳市良机自动化设备有限公司

摘要：本发明公开了一种具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板及其焊接方法。所述陶瓷基板的两侧面和上表面刻有两条不相连通的毛细微槽，用于驱动焊料上升，实现芯片与印制电路板的电气连接。本发明提供的一种具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板，其结构设计简单合理，相比于传统的低温共烧陶瓷基板以及目前应用比较广泛的直接镀铜陶瓷基板，免去光刻覆铜以及金属化过孔的工艺，减少了整体制造工艺的复杂性，并降低了成本。

主权项：1.一种具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板的焊接方法，其特征在于，所述去金属化陶瓷基板包括陶瓷基板主体及表面毛细微结构；所述表面毛细微结构设置在陶瓷基板主体的两侧，所述表面毛细微结构具体为毛细微槽，所述方法包括如下步骤：1将芯片3固定在所述具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板的上表面；2将带芯片的陶瓷基板固定在具有焊盘的印制电路板4上；3在焊盘5上放置熔融焊料6，利用毛细力驱动焊料从下层焊盘上升至芯片电极，实现芯片与印制电路板的电气连接。

全文数据：一种具有毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板及其焊接方法技术领域本发明属于微电子封装技术领域，特别涉及一种具有毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板及其焊接方法。背景技术陶瓷基板是以电子陶瓷为基底，对膜电路元件及外贴切元件形成一个支撑底座的片状材料。具有优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、led封装等领域。作为led芯片基板的陶瓷基板，是属于led芯片与系统电路板两者之间热能导出的媒介，并借由共晶或覆晶与led芯片结合，同时起到支撑保护芯片的作用。为确保LED的散热稳定和LED的发光效率，市面上的散热陶瓷基板主要以以下四类为主：低温共烧多层陶瓷LTCC、高温共烧多层陶瓷HTCC、直接接合铜基板DBC、直接镀铜基板DPC。但现有的陶瓷基板在生产过程中都避免不了金属化这一过程，尤其是采用倒装芯片时，陶瓷基板上表面放置芯片的面需要覆铜，下表面需要镀电极，同时还需要金属化的过孔。这就导致了这种陶瓷基板的生产工艺复杂并且成本很高。发明内容为了克服现有技术存在的不足，本发明的目的是提供一种具有毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板以及焊接方法。针对上述问题，本发明提供了一种具有表面毛细微结构的去金属化陶瓷基板与焊接方法，它具有结构、工艺简单，并能为芯片与印制电路板提供可靠电气连接等优点。本发明的目的至少通过如下技术方案之一实现。本发明提供的一种具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板，包括陶瓷基板主体及表面毛细微结构；所述表面毛细微结构为毛细微槽。进一步地，所述表面毛细微结构为两个左右对称的毛细微槽，两个毛细微槽分别设于陶瓷基板主体的两侧，两个毛细微槽不连通；所述毛细微槽为陶瓷基板主体从上表面与侧面向内刻蚀所形成的。进一步地，所述毛细微槽的形状包括矩形微槽、锯齿形微槽及圆形微槽，但不局限于以上几种。进一步地，制备所述毛细微槽的方式包括激光加工、光刻及化学刻蚀。进一步地，所述毛细微槽的平均宽度为10μm-100μm，平均槽深为10μm-100μm，从而形成足够小的线度来满足毛细驱动焊料的力的要求。进一步地，所述陶瓷基板主体的材料包括Al2O3、BeO及AlN。进一步的，该陶瓷基板1采用Al2O3、BeO、AlN其中一种高温烧结而成。优选地，陶瓷基板主体采用陶瓷片烧结的方法制成，烧结温度为850-1900℃；陶瓷基板成型的方法包括粉末压制、流延、轧制。本发明提供的一种具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板的焊接方法，包括如下步骤：1将芯片3固定固晶在所述具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板的上表面；2将带芯片的陶瓷基板固定在具有合适位置焊盘的印制电路板4上；3在焊盘5上放置熔融焊料6，利用毛细力驱动焊料从下层焊盘上升至芯片电极，实现芯片与印制电路板的电气连接。进一步地，步骤1所述固定的方式包括采用绝缘胶固定。进一步地，步骤2所述固定的方式包括采用绝缘胶固定或机械夹持。进一步地，步骤3所述熔融焊料包括金锡共晶焊料，所述金锡共晶焊料的熔点为217-230℃，金含量为10wt％-15wt％；焊接方式包括回流焊，所述回流焊设备功率为11-15kw、加热区长度为1000-2000mm，加热温度为220-240℃。与现有技术相比，本发明具有如下优点和有益效果：1本发明提供的具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板，陶瓷基板结构及制造工艺简单，省去了覆铜光刻、蒸镀电极等工艺从而大大降低了以往金属化陶瓷基板的生产难度，适用于大批量生产。2本发明提供的具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板焊接方法，利用回流焊的方法使得金锡共晶焊料在毛细力驱动下上升，降低了以往金属化陶瓷基板的焊接难度，大大简化了工艺流程，在保证可靠连接的同时最大程度地降低了生产成本。附图说明图1为矩形毛细微结构的去金属化陶瓷基板具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板示意图；图2为放有led芯片的具有矩形毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板示意图；图3为具有矩形毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板与印刷电路板焊接的示意图；图4为具有矩形毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板与印刷电路板焊接的剖面图；其中，1为陶瓷基板主体；2为表面毛细微结构；3为芯片；4为印制电路板；5为焊盘；6为熔融焊料。具体实施方式以下结合附图和实例对本发明的具体实施作进一步说明，但本发明的实施和保护不限于此。需指出的是，以下若有未特别详细说明之过程，均是本领域技术人员可参照现有技术实现或理解的。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，视为可以通过市售购买得到的常规产品。实施例1一种具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板，包括陶瓷基板主体1及表面毛细微结构2；所述表面毛细微结构2设置在陶瓷基板主体1的两侧，所述表面毛细微结构为毛细微槽，所述具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板的结构可参照图1。所述表面毛细微结构为两个左右对称的毛细微槽，两个毛细微槽分别设于陶瓷基板主体的两侧，两个毛细微槽不连通；所述毛细微槽为陶瓷基板主体从上表面与侧面向内刻蚀所形成的。所述毛细微槽包括矩形微槽、锯齿形微槽及圆形微槽。所述陶瓷基板主体的材质为AlN，将AlN材料在1500摄氏度下烧结而成。然后在烧结好的陶瓷基板主体的上表面及两侧面按照芯片电极的形状与位置，涂覆两条不相接触的光刻胶，间隔距离为25μm，光刻胶厚度为2μm，利用紫外光进行曝光显影，获得宽度为10μm，长度为10μm的矩形毛细微槽，得到所述具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板。一种具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板的焊接方法，包括如下步骤：1将芯片3固定在所述具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板的上表面采用DX-20型号的绝缘胶固定，如图2所示；2将带芯片的陶瓷基板固定在具有焊盘的印制电路板4上采用DX-20型号的绝缘胶固定，如图3所示；3在焊盘5上放置熔融焊料6，利用毛细力驱动焊料从下层焊盘至芯片电极，采用11kw的回流焊设备，在印制电路板上放置熔点为217℃金锡共晶焊料，并于3s的时间内加热升温至230℃，使焊料熔化，并在毛细力驱动下流向芯片电极，实现芯片与印制电路板的电气连接，从而完成焊接过程。实施例1在下层印制电路板焊盘上涂好的一层焊料，采用回流焊的方法，使熔融的焊料液滴在毛细力驱动下流向led芯片电极并与led芯片电极连接，就形成了具有保护散热功能，以及可以提供可靠电气连接的去金属化陶瓷基板，可参照图4。经测试焊接强度满足LED灯具的正常使用要求，在保证可靠的电气性能的前提下，整个生产流程的生产时间小于1min，大大减少了生产时间，节约了生产成本。以上实施例仅为本发明较优的实施方式，仅用于解释本发明，而非限制本发明，本领域技术人员在未脱离本发明精神实质下所作的改变、替换、修饰等均应属于本发明的保护范围。

权利要求：1.一种具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板，其特征在于，包括陶瓷基板主体及表面毛细微结构；所述表面毛细微结构设置在陶瓷基板主体的两侧，所述表面毛细微结构具体为毛细微槽。2.根据权利要求1所述的具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板，其特征在于，所述表面毛细微结构为两个呈镜像对称的毛细微槽，两个毛细微槽分别设于陶瓷基板主体的两侧，两个毛细微槽不连通；所述毛细微槽为陶瓷基板主体从上表面与侧面向内刻蚀形成的。3.根据权利要求1所述的具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板，其特征在于，所述毛细微槽包括矩形微槽、锯齿形微槽及圆形微槽。4.根据权利要求1所述的具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板，其特征在于，制备所述毛细微槽的方式包括激光加工、光刻及化学刻蚀。5.根据权利要求1所述的具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板，其特征在于，所述毛细微槽的平均宽度为10μm-100μm，平均槽深为10μm-100μm。6.根据权利要求1所述的具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板主体的材料包括Al2O3、BeO及AlN。7.一种权利要求1所述具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板的焊接方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将芯片（3）固定在所述具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板的上表面；（2）将带芯片的陶瓷基板固定在具有焊盘的印制电路板（4）上；（3）在焊盘（5）上放置熔融焊料（6），利用毛细力驱动焊料从下层焊盘上升至芯片电极，实现芯片与印制电路板的电气连接。8.根据权利要求7所述的焊接方法，其特征在于，步骤（1）所述固定的方式包括采用绝缘胶固定。9.根据权利要求7所述的焊接方法，其特征在于，步骤（2）所述固定的方式包括采用绝缘胶固定或机械夹持。10.根据权利要求7所述的焊接方法，其特征在于，步骤（3）所述熔融焊料包括金锡共晶焊料，所述金锡共晶焊料的熔点为217-230℃，金含量为10wt%-15wt%；焊接方式包括回流焊，所述回流焊设备功率为11-15kw、加热区长度为1000-2000mm，加热温度为220-240℃。

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