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申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
摘要：本实用新型提供了一种测试结构，包括：衬底、P型阱区、若干N型阱区、第一介质层、第二介质层、第一金属层和第二金属层；若干第二P型子阱区沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列，若干第二P型子阱区的一延伸端与第一P型子阱区的一侧连接；一个N型阱区位于一个第二P型子阱区中；第一介质层位于第二区域上，且第一介质层中形成有若干第一开口；第二介质层位于第一介质层和N型阱区上，且第二介质层中形成有若干第二开口；第一金属层位于第二介质层上，且填充第一开口和第二开口与N型阱区电性连接；第二金属层位于第一P型子阱区上与第一P型子阱区电性连接；本实用新型实现第一金属层和衬底表面的缺陷监控。
主权项：1.一种测试结构，其特征在于，包括：衬底，包括相接的第一区域和第二区域；P型阱区，包括第一P型子阱区和若干第二P型子阱区，所述第一P型子阱区位于所述第一区域中，若干所述第二P型子阱区位于所述第二区域中，若干所述第二P型子阱区沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列，若干所述第二P型子阱区的一延伸端与所述第一P型子阱区的一侧连接；若干N型阱区，一个所述N型阱区位于一个所述第二P型子阱区中；第一介质层，位于所述第二区域上，且所述第一介质层中形成有若干第一开口，一个所述第一开口暴露出一个所述N型阱区；第二介质层，位于所述第一介质层和所述N型阱区上，且所述第二介质层中形成有若干第二开口，若干所述第二开口沿第二方向延伸且沿第一方向间隔排列，且所述第二开口暴露出部分所述N型阱区、部分所述第一介质层和部分所述第一开口；第一金属层，位于所述第二介质层上，且填充所述第一开口和所述第二开口与所述N型阱区电性连接；第二金属层，位于所述第一P型子阱区上与所述第一P型子阱区电性连接，且所述第二金属层与所述第一金属层电性隔离。
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百度查询： 芯联集成电路制造股份有限公司 测试结构
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