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申请/专利权人：豪威科技股份有限公司
摘要：本公开涉及用于高全阱容量FWC的分级偏压深沟槽隔离DTI结构。一种像素单元包含从前侧延伸到半导体材料中的前面深沟槽隔离FDTI结构。所述FDTI结构将所述半导体材料的第一区与所述半导体材料的第二区隔离。所述FDTI结构包含经耦合以接收第一偏压电压的第一导电材料。背面深沟槽隔离BDTI从背侧延伸到半导体材料中。所述BDTI结构将所述半导体材料的所述第一区与所述半导体材料的所述第二区隔离。所述BDTI结构包含经耦合以接收第二偏压电压的第二导电材料。所述FDTI结构及所述BDTI结构在所述半导体材料的深度方向上至少部分对准。光电二极管至少接近于所述FDTI结构的至少一部分及所述BDTI结构的一部分安置在所述半导体材料的所述第一区中。
主权项：1.一种像素单元，其包括：前面深沟槽隔离FDTI结构，其安置在半导体材料中且从所述半导体材料的前侧延伸到所述半导体材料中的第一深度，其中所述FDTI结构将所述FDTI结构的第一侧上的所述半导体材料的第一区与所述FDTI结构的第二侧上的所述半导体材料的第二区隔离，其中所述FDTI结构包含经耦合以接收第一偏压电压的第一导电材料；背面深沟槽隔离BDTI结构，其安置在所述半导体材料中且从所述半导体材料的背侧延伸到所述半导体材料中的第二深度，其中所述BDTI结构将所述BDTI结构的第一侧上的所述半导体材料的所述第一区与所述BDTI结构的第二侧上的所述半导体材料的所述第二区隔离，其中所述BDTI结构包含经耦合以接收第二偏压电压的第二导电材料，且其中所述FDTI结构及BDTI结构在所述半导体材料的深度方向上至少部分对准；及光电二极管，其安置在所述半导体材料的所述第一区中以累积图像电荷，其中所述光电二极管沿着所述深度方向延伸且至少接近于所述FDTI结构的部分及所述BDTI结构的部分安置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 豪威科技股份有限公司 用于高全阱容量(FWC)的分级偏压深沟槽隔离(DTI)结构
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