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用于超导量子电路的约瑟夫森结的制备方法 

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申请/专利权人:网络通信与安全紫金山实验室

摘要:本申请提供一种用于超导量子电路的约瑟夫森结的制备方法。在衬底表面形成铝金属薄膜层。通过第一掩膜对所述铝金属薄膜层进行图案化处理形成铝金属电路层。在所述铝金属电路层远离所述衬底的表面形成氧化铝薄膜层。在所述衬底的表面制备超导材料薄膜层,所述超导材料薄膜层覆盖所述氧化铝薄膜层以及所述衬底的表面。形成第二掩膜层,通过所述第二掩膜层对所述超导材料薄膜层进行图案化处理以获得图案化的超导材料电路层,所述超导材料电路层与所述铝金属电路层在所述衬底的投影部分重叠。清洗去除所述第二掩膜层,获得所述约瑟夫森结。上述制备方法,可以制备大面积的约瑟夫森结。

主权项:1.一种用于超导量子电路的约瑟夫森结的制备方法,其特征在于,包括:S110,提供衬底110,并于所述衬底110表面制备铝金属薄膜层20;S120,形成第一掩膜层130,通过所述第一掩膜层130对所述铝金属薄膜层20进行图案化处理,获得铝金属电路层210,所述铝金属电路层210为图案化结构包括凹槽或者开口,所述衬底110的表面从所述凹槽或所述开口露出;S130,在所述铝金属电路层210远离所述衬底110的表面形成氧化铝薄膜层142;S140,在所述衬底110的表面制备超导材料薄膜层30,所述超导材料薄膜层30覆盖所述氧化铝薄膜层142以及所述衬底110的表面;S150,形成第二掩膜层160,通过所述第二掩膜层160对所述超导材料薄膜层30进行图案化处理以获得图案化的超导材料电路层310,所述超导材料电路层310与所述铝金属电路层210在所述衬底110的投影部分重叠;S160,清洗去除所述第二掩膜层160,获得约瑟夫森结;所述S150中,所述氧化铝薄膜层142被部分刻蚀,并露出部分铝金属电路层210,所述铝金属电路层210包括结区铝金属层212和与所述结区铝金属层212连接的底电路铝金属层214;所述超导材料电路层310包括结区超导材料层312和与所述结区超导材料层312连接的顶电路超导材料层314,所述结区铝金属层212与所述结区超导材料层312在所述衬底110表面的投影重叠;所述结区铝金属层212、所述氧化铝薄膜层142、所述结区超导材料层312和所述顶电路超导材料层314共同构成所述约瑟夫森结。

全文数据:

权利要求:

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