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申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明公开了一种高性能磁阻和各向异性磁阻异质结薄膜的制备方法，该薄膜制备方法包括以下步骤：氧化物靶材制备、脉冲激光沉积镀膜、磁控溅射镀膜和电极制备。该方法通过结合脉冲激光沉积镀膜和磁控溅射镀膜，可以优化薄膜的厚度和均匀性，得到高质量的薄膜。通过调节工艺参数，可以实现不同材料体系和结构的优化，以获得所需的磁性特性。所制备的薄膜具有优异的磁阻和各向异性磁阻特性，适用于磁传感器、存储器件和自旋电子器件等领域。该方法工艺稳定、可控性强，具有广泛的应用前景。
主权项：1.高性能磁阻和各向异性磁阻异质结薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）氧化物靶材制备：以Re1-xAexTmO3为组分，0≤X≤1，Re是稀土元素，Ae是碱土元素，Tm是过渡金属元素，采用溶胶凝胶工艺制备前驱体溶液，经熬胶、发泡后制得湿凝胶，将湿凝胶初步研磨后预烧结制得前驱体粉末，最后将前驱体粉末研磨压块后烧结得氧化物靶材；（2）脉冲激光沉积镀膜：将氧化物靶材和预处理后的基底安装到脉冲激光沉积设备的沉积室中，靶与基片间的距离为30-120mm，设置温度、氧压和激光能量，靶材自转速度为3-6°s，公转速度为2-5°s，脉冲激光的重复频率为1-6Hz，用脉冲激光轰击氧化物靶材，沉积完成后，通入高纯氧气，对薄膜进行退火处理，得到一层20-80nm厚的氧化物薄膜；（3）磁控溅射镀膜：将新的靶材和前述步骤镀膜后的基片安装到磁控溅射镀膜腔室中，靶与基片间的距离为80～110mm，进行抽真空至真空度达到4×10-4Pa以上，调节基片温度，通入惰性气体控制溅射压强，设置溅射功率20-100w，沉积0.5-3h得到沉积态薄膜，后将沉积态薄膜置于管式炉中通氧退火，得到一层40-100nm厚的氧化物薄膜，完成多层薄膜的制备；（4）电极制备：将具有4个圆孔的掩膜板放到沉积完成的异质结薄膜上，在掩膜板的遮挡下，通过物理溅射法在异质结薄膜上沉积电极，控制沉积工艺，得到50-200nm厚的电极点。
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