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申请/专利权人：烟台奇创芯源科技有限公司
摘要：本发明提供了一种降低平面结碲镉汞器件PN结区域位错密度的工艺，包括以下步骤：S1将平面结碲镉汞半成品与汞在密闭空间内进行退火处理，且平面结碲镉汞半成品与汞互不接触，得到退火处理的半成品；所述平面结碲镉汞半成品包括依次设置的硅衬底、碲化镉缓冲层、碲镉汞层与碲化镉钝化层，所述碲化镉钝化层上设置有注入区；所述注入区的底部不含碲化镉钝化层；S2在退火处理的半成品上制备形成PN结。与现有技术相比，本发明利用非注入区域碲化镉钝化层与碲镉汞层之间存在应力，位错移动的驱动力不足以克服阻力，高温退火处理过程中移动的位错将被锁定在未开孔的非注入区域，从而降低了PN结区域的位错密度，进而提升PN结性能。
主权项：1.一种降低平面结碲镉汞器件PN结区域位错密度的工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1将平面结碲镉汞半成品与汞在密闭空间内进行退火处理，且平面结碲镉汞半成品与汞互不接触，得到退火处理的半成品；所述平面结碲镉汞半成品包括依次设置的硅衬底、碲化镉缓冲层、碲镉汞层与碲化镉钝化层，所述碲化镉钝化层上设置有注入区；所述注入区的底部不含碲化镉钝化层；S2在退火处理的半成品上制备形成PN结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 烟台奇创芯源科技有限公司 一种降低平面结碲镉汞器件PN结区域位错密度的工艺
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