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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明属于半导体薄膜及器件制备技术领域，具体涉及厚度可调控的氧化镓‑二氧化碲PN结及其热蒸发制备方法与应用，包括如下步骤：选用氧化镓作为蒸发源，将衬底置于真空蒸镀设备中蒸镀氧化镓薄膜；再选用二氧化碲作为蒸发源，在氧化镓薄膜上蒸镀二氧化碲薄膜；最后在薄膜上蒸镀金属电极，可以得到平行堆叠型或十字交叉型的氧化镓‑二氧化碲PN结器件。本发明的优点是可以在任何基板上低成本实现大面积半导体薄膜的制备；薄膜厚度可控。相比单沟道器件探测器，PN结探测器具有高灵敏性和响应度、高光暗电流比、低功耗、高灵敏性和抗电压浪涌的特点，在高性能日盲紫外探测器领域具有广阔的应用前景。
主权项：1.一种氧化镓-二氧化碲PN结，其特征在于，由二氧化碲薄膜与氧化镓薄膜异质集成形成。
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百度查询： 西安电子科技大学 一种氧化镓-二氧化碲PN结及其热蒸发制备方法与应用
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