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申请/专利权人：扬州大学
摘要：本发明公开了一种基于正弦型垂直PN结的电光移相器，所述移相器包括从下至上分布的衬底层、绝缘层和上包层，所述上包层内设有波导，所述波导包括P掺杂区和N掺杂区，所述P掺杂区和N掺杂区的接触界面为正弦型曲面，所述正弦型曲面的纵坐标对应上包层的厚度方向，正弦型曲面的横坐标对应上包层的长度方向。本发明采用接触界面为正弦型的PN结，使光通过时形成传播方向上正弦型的耗尽区，比传统的直线型PN结耗尽区的面积更大，即结电容变大，从而使得波导光学模式与耗尽区的重叠积分增大，最终提高电光移相器的调制效率。
主权项：1.一种基于正弦型垂直PN结的电光移相器，其特征在于，包括从下至上分布的衬底层1、绝缘层2和上包层3，所述上包层3内设有波导4，所述波导4包括P掺杂区7和N掺杂区8，所述P掺杂区7和N掺杂区8的接触界面为正弦型曲面，所述正弦型曲面的纵坐标对应上包层3的厚度方向，正弦型曲面的横坐标对应上包层3的长度方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州大学 一种基于正弦型垂直PN结的电光移相器
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