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申请/专利权人：天津科技大学
摘要：本发明提供薄膜铌酸锂弯折电光调制网络，属于光电集成器件领域，由下至上由硅衬底和多个弯折型波导层堆叠而成，各波导层由下至上包括二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜、弯折型波导、弯折型行波电极、电磁屏蔽层堆叠而成。各波导层的所有弯折型波导均对应与其位置相关的二维坐标，所有二维坐标形成电光调制网络，分别记载调制网络中各元素所对应的弯折型波导的工作参数，不同波长光纤可根据需要耦合至对应位置的波导，刻蚀后二氧化硅缓冲层底面刻蚀有与行波电极匹配的凹槽，各波导层按照层叠顺序依次制备，电磁屏蔽层由碳纳米材料制成，采用电子束刻蚀技术在铌酸锂薄膜层制作光波导。本发明包含多个弯折型波导，通过增大调制区间提高带宽，并且使产品的集成度提高。
主权项：1.薄膜铌酸锂弯折电光调制网络，其特征在于：由下至上由硅衬底和多个弯折型波导层堆叠而成，各波导层由下至上包括二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜、弯折型波导、弯折型行波电极、电磁屏蔽层堆叠而成。各波导层的所有弯折型波导均对应与其位置相关的二维坐标，所有二维坐标形成电光调制网络，分别记载调制网络中各元素所对应的弯折型波导的工作参数，不同波长光纤可根据需要耦合至对应位置的波导，刻蚀后二氧化硅缓冲层底面刻蚀有与行波电极匹配的凹槽，各波导层按照层叠顺序依次制备，电磁屏蔽层由碳纳米材料制成，采用电子束刻蚀技术在铌酸锂薄膜层制作光波导。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津科技大学 薄膜铌酸锂弯折电光调制网络
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