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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种基于p型Cr2O3的氧化镓pn异质结二极管及制备方法，主要解决现有氧化镓二极管漏电流较大、可靠性和击穿电压较低的问题。其自下而上包括：阴极金属层1、衬底层2、外延层3、p型掺杂层4、阳极金属层5，该p型掺杂层4采用由第1层41至第n层4n组成的多层结构，n的取值根据器件实际使用要求确定。各层厚度为10nm～100nm不等，总厚度为10nm～1μm，且各层采用掺杂浓度线性递增的氧化铬材料构成，以实现p型掺杂层分别与外延层3的更高晶格匹配度和与阳极金属层5的更低接触电阻。本发明能提高器件的可靠性，降低器件漏电流，提高器件的击穿电压，可用于高压大功率设备。
主权项：1.一种基于p型Cr2O3的氧化镓pn异质结二极管的制备方法，自下而上包括：阴极金属层1、衬底层2、外延层3、p型掺杂层4、阳极金属层5，其特征在于：p型掺杂层4采用自下而上由第1层41至第n层4n组成的多层结构，各层分别由掺杂浓度线性递增的氧化铬材料构成，以实现其与外延层3的更高晶格匹配度，提高器件可靠性，降低器件漏电流，其中n为≥1的整数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 基于p型Cr2O3的氧化镓pn异质结二极管及制备方法
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