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申请/专利权人：天水天光半导体有限责任公司

摘要：本申请提供一种基于离子注入的PN结形成方法、存储介质和集成电路器件，属于集成电路制造领域。该方法包括：在经过光刻后的硅衬底上确定待掺杂区域和需要掺杂的标准浓度和标准深度；通过质量分析器从杂质源B2H6中筛选出B3+；通过第一离子注入机按照对应的剂量和能量将所述B3+注入至所述待掺杂区域；将完成掺杂后的区域进行退火处理，形成初始PN结；计算所述初始PN结中的各个掺杂区域的实际浓度、实际深度与标准浓度、标准深度的误差，将误差超过误差阈值的掺杂区域作为待补偿区域；对所述待补偿区域进行B3+再次注入；对B3+再次注入后的区域进行再次退火处理，形成PN结。本申请可以提高集成电路器件制造的质量。

主权项：1.一种基于离子注入的PN结形成方法，其特征在于，所述方法包括：在经过光刻后的硅衬底上确定待掺杂区域和需要掺杂的标准浓度和标准深度；通过质量分析器从杂质源B2H6中筛选出B3+；通过第一离子注入机按照对应的剂量和能量将所述B3+注入至所述待掺杂区域；将完成掺杂后的区域进行退火处理，形成初始PN结；计算所述初始PN结中的各个掺杂区域的实际浓度、实际深度与标准浓度、标准深度的误差，将误差超过误差阈值且区域面积超过第一面积阈值的掺杂区域作为待补偿区域；对所述待补偿区域进行B3+再次注入，包括：根据所述待补偿区域所需注入的补偿浓度与补偿深度确定第二离子注入机对所述待补偿区域内的各个单个区域所使用的补偿剂量、补偿能量和与所述硅衬底的注入距离，检测单个区域的面积，针对面积不超过预设第二面积阈值的单个区域，通过所述第二离子注入机在处于不超过预设第二面积阈值的单个区域的距离为对应注入距离下，向所述硅衬底垂直注入所述补偿剂量和补偿能量的B3+，针对面积超过预设第二面积阈值的单个区域，根据所述待补偿区域中各个位置下的补偿浓度和补偿深度计算出对应的注入角度，通过所述第二离子注入机在处于超过预设第二面积阈值的单个区域的距离为对应注入距离下，以对应的注入角度向所述硅衬底注入剂量为对应补偿剂量，且能量为对应补偿能量的B3+，所述第二面积阈值大于所述第一面积阈值，所述第二离子注入机的发射剂量小于所述第一离子注入机的发射剂量；对B3+再次注入后的区域进行再次退火处理，形成PN结。

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百度查询： 天水天光半导体有限责任公司 基于离子注入的PN结形成方法、存储介质和集成电路器件