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Ga2O3基异质集成pn结的制备方法 

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申请/专利权人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所

摘要:本发明提供一种Ga2O3基异质集成pn结的制备方法,其包括将n型Ga2O3晶片和p型半导体晶片的至少一种作为待剥离材料,自待剥离材料的抛光面进行离子注入,形成缺陷层;将n型Ga2O3晶片与p型半导体晶片的抛光面键合;退火处理并沿缺陷层剥离,去除表面损伤层,进行同质外延,进行金属沉积并进行退火。本发明的制备方法通过离子束剥离与转移以及外延工艺,将n型Ga2O3转移到p型半导体晶片上,解决现有技术中Ga2O3材料p型掺杂困难,将n型Ga2O3材料与p型半导体材料进行异质集成后电学性能受限的问题,对Ga2O3材料在双极型器件领域的应用意义重大,大大拓展Ga2O3材料的应用范围。

主权项:1.一种Ga2O3基异质集成pn结的制备方法,其特征在于,包括:步骤S1:提供n型Ga2O3晶片,所述n型Ga2O3晶片的一表面为抛光面;步骤S2:提供p型半导体晶片,所述p型半导体晶片的一表面为抛光面;步骤S3:将所述n型Ga2O3晶片和p型半导体晶片的至少一种作为待剥离材料,自所述待剥离材料的抛光面进行离子注入,于所述待剥离材料中形成缺陷层;步骤S4:将所述n型Ga2O3晶片的抛光面与所述p型半导体晶片的抛光面键合,制备第一复合结构;步骤S5:对所述第一复合结构进行退火处理,沿所述缺陷层对待剥离材料进行剥离,形成带有表面损伤层的第二复合结构;步骤S6:对带有表面损伤层的第二复合结构进行表面处理,去除表面损伤层,形成第三复合结构;步骤S7:对第三复合结构进行同质外延,生长经过剥离的材料的外延层,形成第四复合结构;步骤S8:对第四复合结构的两侧表面进行金属沉积并进行退火,制备欧姆电极,形成Ga2O3基异质pn结。

全文数据:

权利要求:

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