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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明提供一种Ga2O3基异质集成pn结的制备方法，其包括将n型Ga2O3晶片和p型半导体晶片的至少一种作为待剥离材料，自待剥离材料的抛光面进行离子注入，形成缺陷层；将n型Ga2O3晶片与p型半导体晶片的抛光面键合；退火处理并沿缺陷层剥离，去除表面损伤层，进行同质外延，进行金属沉积并进行退火。本发明的制备方法通过离子束剥离与转移以及外延工艺，将n型Ga2O3转移到p型半导体晶片上，解决现有技术中Ga2O3材料p型掺杂困难，将n型Ga2O3材料与p型半导体材料进行异质集成后电学性能受限的问题，对Ga2O3材料在双极型器件领域的应用意义重大，大大拓展Ga2O3材料的应用范围。
主权项：1.一种Ga2O3基异质集成pn结的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供n型Ga2O3晶片，所述n型Ga2O3晶片的一表面为抛光面；步骤S2：提供p型半导体晶片，所述p型半导体晶片的一表面为抛光面；步骤S3：将所述n型Ga2O3晶片和p型半导体晶片的至少一种作为待剥离材料，自所述待剥离材料的抛光面进行离子注入，于所述待剥离材料中形成缺陷层；步骤S4：将所述n型Ga2O3晶片的抛光面与所述p型半导体晶片的抛光面键合，制备第一复合结构；步骤S5：对所述第一复合结构进行退火处理，沿所述缺陷层对待剥离材料进行剥离，形成带有表面损伤层的第二复合结构；步骤S6：对带有表面损伤层的第二复合结构进行表面处理，去除表面损伤层，形成第三复合结构；步骤S7：对第三复合结构进行同质外延，生长经过剥离的材料的外延层，形成第四复合结构；步骤S8：对第四复合结构的两侧表面进行金属沉积并进行退火，制备欧姆电极，形成Ga2O3基异质pn结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 Ga2O3基异质集成pn结的制备方法
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