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申请/专利权人：安徽大学
摘要：本发明公开了一种NaSbS2薄膜材料、NiONaSbS2异质结及其光电探测应用，属于电子新材料、新器件技术领域。本发明所述的光电探测器件依次由ITO基底、NiO衬底、NaSbS2吸光层及铝金属电极复合组成。本发明提出NaSbS2作为吸光层，开发了乙二胺与β‑巯基乙醇的混合溶剂溶解氢氧化钠、氧化锑、升华硫作为合成NaSbS2的前驱溶液，采用溶液旋涂法生长纯相立方晶系NaSbS2薄膜，其带隙为1.70eV。该薄膜的制备工艺简单、原料及制备成本低廉，并且其与磁控溅射法制备的NiO衬底形成异质结，表现出优良的自供电光电探测性能，为光电子器件领域研究提供新光电子材料、新合成方法、新应用范例。
主权项：1.一种NaSbS2薄膜材料，其是采用乙二胺与β-巯基乙醇的混合溶剂溶解氢氧化钠、氧化锑、升华硫，并在50-70℃反应得到NaSbS2的前驱溶液，然后通过溶液旋涂法或喷雾法在衬底上生长纯相NaSbS2薄膜材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽大学 NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用
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