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申请/专利权人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会
摘要：本发明涉及一种半导体器件1a、1b，具有正面和相对的背面以及侧面，以及具有至少一个发射极2a、2b和至少一个基极3a、3b，其中，在发射极2a、2b和基极3a、3b之间构成pn结4a、4b，并且发射极2a、2b平行于正面和或背面延伸。重要的是，至少一个侧面是钝化的分离面T，在所述分离面上设置有分离面钝化层6a、6b，所述分离面钝化层具有位置固定的电荷，所述电荷在分离面T上具有数值上大于或等于1012cm‑2的电荷面密度。本发明还涉及一种用于分离具有pn结的半导体器件1a、1b的方法。
主权项：1.半导体器件1a、1b，具有正面和相对的背面以及侧面，以及具有至少一个发射极2a、2b和至少一个基极3a、3b，在所述发射极2a、2b和所述基极3a、3b之间构成pn结4a、4b，并且所述发射极2a、2b平行于所述正面和或所述背面延伸，其特征在于，至少一个侧面是钝化的分离面T，所述分离面上设置有分离面钝化层6a、6b，所述分离面钝化层具有位置固定的电荷，所述电荷在分离面T上具有数值上大于或等于1012cm-2的电荷面密度，所述pn结4a、4b与所述分离面T邻接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 半导体器件和用于分离具有PN结的半导体器件的方法
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