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申请/专利权人：重庆万国半导体科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种高耐压超结终端结构，包括衬底，所述衬底上依次设置有外延层、氧化层和介质层，所述N型漂移区在横向上包括依次排列的过渡区、第一终端类型区和第二终端类型区；所述第一终端类型区的顶部形成有JTE区，所述第二终端类型区的顶部形成有N掺杂结构，所述N掺杂结构与JTE区连接，所述N掺杂结构连接有第三P柱。本实用新型中，通过设置N掺杂结构和第三P柱可以降低JTE区末端的电场峰值，使器件可靠性更高；同时还能提升JTE区末端的电场谷值，使器件耐压得到提升；还可以将截止环位置向前移动，进而缩小终端区面积。
主权项：1.一种高耐压超结终端结构，其特征在于：包括衬底，所述衬底上依次设置有外延层、氧化层和介质层，所述外延层在横向上包括依次排列的过渡区、第一终端类型区和第二终端类型区；所述第一终端类型区的顶部形成有P掺杂的JTE区，所述JTE区的下端连接有多个第二P柱；所述第二终端类型区的顶部形成有N掺杂结构，所述N掺杂结构的一端与JTE区连接，所述N掺杂结构的下端连接有至少两个第三P柱。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆万国半导体科技有限公司 一种高耐压超结终端结构
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