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申请/专利权人：苏州成汉芯业科技有限公司

摘要：本发明涉及半导体电镀加工技术领域，且公开了高深宽比贯穿玻璃通孔的玻璃金属化加工制程，包括：一单面涂覆步骤：形成一第一种子层在一第一玻璃基板的一表面上方以及形成一第二种子层在一第二玻璃基板的一表面上方；一贴合步骤：翻转该第二玻璃基板并透过一接合层以贴合该第一种子层与该第二种子层；一钻孔步骤：形成至少一通孔以穿透该第二玻璃基板、该第二种子层、该接合层、该第一种子层与该第一玻璃基板；一预润步骤以及一金属化步骤。本发明金属材料可以完全填满通孔或第一通孔、第二通孔，可应用于具有较大的深宽比的通孔或第一通孔、第二通孔，而不会如习知方法而产生孔隙，进而使电镀制程较为简易，同时提高电镀良率。

主权项：1.高深宽比贯穿玻璃通孔的玻璃金属化加工制程，其特征在于：包括：S110、单面涂覆步骤：形成一第一种子层（110）在一第一玻璃基板（100）的一表面（101）上方以及形成一第二种子层（210）在一第二玻璃基板（200）的一表面（201）上方；S120、贴合步骤：翻转该第二玻璃基板（200）并通过一接合层（300）以贴合该第一种子层（110）与该第二种子层（210）；S130、钻孔步骤：形成至少一通孔（500）以穿透该第二玻璃基板（200）、该第二种子层（210）、该接合层（300）、该第一种子层（110）与该第一玻璃基板（100）；S140、预润步骤：对该第一玻璃基板（100）、该第一种子层（110）、该接合层（300）、该第二种子层（210）与该第一玻璃基板（200）执行一预润制程；S150、金属化步骤：使用一金属材料（600）执行一电镀制程，以使该金属材料（600）从在该至少一通孔（500）的一中心处（530）的该第一种子层（110）朝该第一玻璃基板（100）相对该第一种子层（110）的一表面（103）进行生长以填满该至少一通孔（500）的一下部（520）与该中心处（530），且同时使该金属材料（600）从在该至少一通孔（500）的该中心处（530）的该第二种子层（210）朝该第二玻璃基板（200）相对该第二种子层（210）的一表面（203）进行生长以填满该通孔（500）的一上部（510）与该中心处（530），其中，该上部（510）对应该第二玻璃基板（200），该下部（520）对应该第一玻璃基板（100），而该中心处（530）对应该第二种子层（210）、该接合层（300）以及该第一种子层（110）。

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