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申请/专利权人：富士电机株式会社
摘要：提供一种能够提高散热性能、从而能够通过热破坏耐受量的提高来确保可靠性的反向导通型半导体装置。该装置具备：半导体芯片，其具有上表面、第一边以及与第一边正交的第二边；晶体管部，其设置于半导体芯片，具有条状的多个主电流通路；多个二极管部，其设置于半导体芯片，与多个主电流通路平行地延伸；上表面电极，其设置于晶体管部及多个二极管部的上表面；以及布线构件，其具有矩形的平板部，该平板部在多个二极管部的上方经由接合构件来与上表面电极电连接。布线构件具有从平板部的端部向上表面电极的相反方向立起的导电部，平板部的端部被配置为与第一边平行。
主权项：1.一种反向导通型半导体装置，具备：半导体芯片，其在俯视时具有上表面、第一边以及与所述第一边正交的第二边，在所述半导体芯片中多个晶体管部与多个二极管部交替地配置，在所述多个晶体管部和所述多个二极管部的上表面侧设置有上表面电极；以及布线构件，其具有矩形的平板部，该平板部在所述二极管部的上方经由接合构件来与所述上表面电极进行金属性接合，其中，所述多个晶体管部分别在俯视时具有与所述第一边平行地延伸的条状的图案，并沿与所述半导体芯片的上表面垂直的方向构成主电流通路，所述多个二极管部分别在俯视时具有与所述第一边平行地延伸的条状的图案，并沿与所述半导体芯片的上表面垂直的方向构成续流电流通路，并且，所述布线构件具有从所述平板部的端部向所述上表面电极的相反方向立起的导电部，所述平板部的端部被配置为与所述第一边平行。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士电机株式会社 反向导通型半导体装置
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