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半导体装置以及半导体装置的制造方法 

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申请/专利权人:青井电子株式会社

摘要:半导体装置1包括:基板30,具有半导体芯片2、密封部31以及多个引线部,半导体芯片2具有漏极电极2D作为背面电极,密封部31将半导体芯片2以及多个引线部密封;以及布线56DH,形成在基板30的下表面30b上。半导体芯片2的漏极电极2D在基板30的下表面30b暴露。布线56DH遍及密封部31上和半导体芯片2的漏极电极2D上而形成,并且与半导体芯片2的漏极电极2D整体相接。

主权项:1.一种半导体装置,包括:基板,具有第一半导体芯片、密封部、以及多个引线部,所述第一半导体芯片具有相互位于相反侧的第一表面电极以及第一背面电极,所述密封部将所述第一半导体芯片及多个所述引线部密封;以及第一布线,形成在所述基板的第一主面上,所述第一半导体芯片的所述第一表面电极以及所述第一背面电极中的一者在所述基板的所述第一主面暴露,在所述基板的所述第一主面侧,所述第一布线遍及所述第一半导体芯片的所述第一表面电极以及所述第一背面电极中的所述一者上和所述密封部上而形成,并且与所述第一半导体芯片的所述第一表面电极以及所述第一背面电极中的所述一者的整体相接。

全文数据:

权利要求:

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