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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本申请的实施例公开了一种具有空气间隔件和空气封盖的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底和在该衬底上设置的鳍结构。鳍结构包括第一鳍部分和第二鳍部分。该半导体器件还包括在该第一鳍部分上设置的源极漏极SD区域、在该SD区域上设置的接触结构、在该第二鳍部分上设置的栅极结构、在该栅极结构的侧壁和接触结构之间设置的空气间隔件、在该栅极结构上设置的封盖密封件、以及在该栅极结构的顶面和封盖密封件之间设置的空气封盖。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底；鳍结构，设置在所述衬底上，其中所述鳍结构包括第一鳍部分和第二鳍部分；源极漏极区域，设置在所述第一鳍部分上；接触结构，设置在所述源极漏极区域上；栅极结构，设置在所述第二鳍部分上；空气间隔件，设置在所述栅极结构的侧壁和所述接触结构之间；封盖密封件，设置在所述栅极结构上；以及空气封盖，设置在所述栅极结构的顶面和所述封盖密封件之间，其中，所述空气封盖是充满空气的腔并且与所述栅极结构的所述顶面接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件和制造半导体器件的方法
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