龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；第一晶体管，所述第一晶体管包括设置在所述第一区域中的单个第一有源鳍、与所述单个第一有源鳍相交的第一栅电极以及设置在所述单个第一有源鳍的第一凹陷中的单个第一源极漏极层；以及第二晶体管，所述第二晶体管包括设置在所述第二区域中的多个第二有源鳍、与所述多个第二有源鳍相交的第二栅电极以及分别设置在所述多个第二有源鳍的第二凹陷中的多个第二源极漏极层。所述单个第一有源鳍和所述多个第二有源鳍可以具有第一导电类型，并且所述第一凹陷的深度可以小于每一个所述第二凹陷的深度。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；第一晶体管，所述第一晶体管包括设置在所述第一区域中的单个第一有源鳍、与所述单个第一有源鳍相交的第一栅电极以及在所述第一栅电极两侧设置在所述单个第一有源鳍的第一凹陷中的单个第一源极漏极层；以及第二晶体管，所述第二晶体管包括设置在所述第二区域中的多个第二有源鳍、与所述多个第二有源鳍相交的第二栅电极以及在所述第二栅电极两侧分别设置在所述多个第二有源鳍的第二凹陷中的多个第二源极漏极层，其中，除了所述单个第一有源鳍之外，所述第一晶体管不再包括与所述第一栅电极相交的有源鳍，其中，所述单个第一有源鳍和所述多个第二有源鳍具有第一导电类型，并且所述第一凹陷的深度小于每一个所述第二凹陷的深度。
全文数据：
权利要求：
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号