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申请/专利权人：兰州交通大学
摘要：本发明公开了一种鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管及制备方法，包括：第一铁电层、第二铁电层、第一隧穿栅、第二隧穿栅、控制栅、第一介质层、第二介质层、源极、源区、第一沟道区、阻挡层、第二沟道区、漏区、漏极、鳍型沟道区。本发明在隧穿栅内侧加入了铁电层，可以降低器件的体因子，从而降低器件的亚阈值摆幅；并且铁电层的存在还可以增大栅极表面电势，进而放大栅压并增强鳍型沟道区中的内建电场，最终达到提升器件的开启速度和开态电流的目的。此外，本发明第二隧穿栅和控制栅构成异质栅结构，可以抑制底部第二沟道区和漏区之间的点隧穿；同时，阻挡层的存在可以抑制源漏直接隧穿，从而达到提升器件的开关比和降低关态电流的目的。
主权项：1.一种鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：第一铁电层、第二铁电层、第一隧穿栅、第二隧穿栅、控制栅、第一介质层、第二介质层、源极、源区、第一沟道区、阻挡层、第二沟道区、漏区、漏极、鳍型沟道区；其中，所述源极、所述源区、所述第一沟道区、所述阻挡层、所述第二沟道区、所述漏区和所述漏极依次触碰连接；所述第一介质层设置在所述源区、所述第一沟道区的顶层，所述第一铁电层和所述第一隧穿栅分别设置在所述第一介质层的顶层，且所述第一铁电层和所述第一隧穿栅触碰连接；所述第二介质层设置在所述第二沟道区、所述漏区的顶层，所述第二铁电层和所述控制栅分别设置在所述第二介质层的顶层，所述第二隧穿栅设置在所述控制栅的顶层，且所述第二铁电层分别与所述第二隧穿栅和所述控制栅触碰连接；所述鳍型沟道区设置在所述第一沟道区、所述阻挡层和所述第二沟道区的顶层，且所述鳍型沟道区分别与所述第一铁电层、所述第二铁电层、所述第一介质层和所述第二介质层触碰连接，所述鳍型沟道区在靠近所述第一隧穿栅的一侧有P型高斯掺杂。
全文数据：
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百度查询： 兰州交通大学 一种鳍型电子空穴双层隧穿场效应晶体管及制备方法
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