龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：一种具有功率半导体晶体管配置的功率半导体器件包括：半导体本体，其具有耦合到第一负载端子结构的前侧、耦合到第二负载端子结构的背侧和横向芯片边缘；有源区，其被配置用于在功率半导体器件的导通状态下在第一负载端子结构和第二负载端子结构之间传导负载电流；以及边缘终止区，其将有源区与横向芯片边缘分开。在前侧处，边缘终止区包括保护区，其不包括任何金属结构，除非金属结构被多晶硅层从下方电屏蔽，所述多晶硅层比金属结构更朝向横向芯片边缘延伸至少20μm的横向距离。在功率半导体器件的阻断状态下，保护区被配置为容纳在从有源区朝向横向芯片边缘的横向方向上的半导体本体内部的阻断电压的至少90%的电压变化。
主权项：1.一种功率半导体器件1，具有功率半导体晶体管配置，并包括：-半导体本体10，具有耦合到第一负载端子结构11的前侧10-1、耦合到第二负载端子结构12的背侧10-2、以及横向芯片边缘109；-有源区16，被配置用于在功率半导体器件1的导通状态下在第一负载端子结构11和第二负载端子结构12之间传导负载电流；以及-边缘终止区17，将有源区16与横向芯片边缘109分开；其中，在前侧10-1处，边缘终止区17包括保护区172，其不包括任何金属结构，除非金属结构GR被多晶硅层178从下方电屏蔽，所述多晶硅层178比金属结构GR更朝向横向芯片边缘109延伸至少20μm的横向距离d5，并且其中，在功率半导体器件1的阻断状态下，保护区172被配置为容纳在从有源区16朝向横向芯片边缘109的横向方向上的半导体本体内部的阻断电压的至少90％的电压变化，其中，在竖直截面中，保护区172从起点SP沿着横向方向X延伸到横向芯片边缘109，其中，起点SP位于离其中掺杂半导体区1711与金属和或多晶硅层111接触的最外点P至多30μm的距离dsp处，所述金属和或多晶硅层111与第一负载端子结构11电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 功率半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号