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申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
摘要：本实用新型公开了半导体器件，包括衬底，位线，第一间隙壁结构以及第二间隙壁结构。衬底包括多个有源区。位线设置在衬底上，横跨有源区。第一间隙壁结构设置在位线的两相对侧壁上。第二间隙壁结构设置在衬底。第二间隙壁结构与第一间隙壁结构的端部相联接，并且，第一间隙壁结构与第二间隙壁结构至少部分材料不同。通过设置至少部分材料不同的两种间隙壁结构，可达到不同的隔绝效果，如此，有利于提升半导体器件的结构可靠性，进而增进其操作表现。
主权项：1.一种半导体器件，其中，包括：衬底，包括多个有源区；多条位线，设置在所述衬底上，所述位线横跨所述有源区；多个第一间隙壁结构，分别设置在各所述位线的两相对侧壁上；以及多个第二间隙壁结构，设置在所述衬底上，所述第二间隙壁结构与所述第一间隙壁结构的端部相联接，其中所述第一间隙壁结构与所述第二间隙壁结构至少部分材料不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体器件
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