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申请/专利权人：新电元工业株式会社
摘要：本发明的半导体装置包括：半导体基体110、多个沟槽120、栅极绝缘膜122、栅电极124、层间绝缘膜130、以及表面电极140，其中，半导体基体110具有伸出区域115，该伸出区域从第二导电型半导体区域113的底部伸出，并且与沟槽120隔开，伸出区域115的杂质浓度的峰值位置比第二导电类型半导体区域113的底部深，且伸出区域115的深度方向截面的杂质总量与第二导电型半导体区域113的深度方向截面的杂质总量相同或更少。根据本发明提供半导体装置，即使在提高了第一导电型半导体层的杂质浓度的情况下，也能够减少开关损耗及栅极驱动损耗，并且不易发生寄生双极效应。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基体，其具有第一导电型半导体层、形成在所述第一导电型半导体层的表面上的第二导电型半导体区域、以及形成在所述第二导电型半导体区域的表面上的第一导电型半导体区域；多个沟槽，其形成在所述半导体基体的表面上，其最底部与所述第一导电性半导体层相接，其侧壁与所述第一导电性半导体层、所述第二导电型半导体区域及所述第一导电型半导体区域相接；栅极绝缘膜,形成在所述多个沟槽各自的所述侧壁上；栅电极，隔着所述栅极绝缘膜形成在所述多个沟槽各自的内部；层间绝缘膜，形成在所述栅电极以及所述半导体基体上方；以及表面电极，形成在所述层间绝缘膜上并与所述第二导电型半导体区域和所述第一导电型半导体区域连接，其中，所述半导体基体具有第二导电型的伸出区域，该伸出区域在被相邻的所述沟槽相夹的区域中从所述第二导电型半导体区域的底部向所述第一导电型半导体层伸出并与所述沟槽隔开，所述伸出区域的最深部的深度位置比所述沟槽的最深部的深度位置浅，所述伸出区域的杂质浓度的峰值位置比所述第二导电型半导体区域的底部深，所述伸出区域的深度方向截面的杂质总量与所述第二导电型半导体区域的深度方向截面的杂质总量相同或更少。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新电元工业株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
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