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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供基底，在所述基底上形成间隔层以及交替堆叠于所述间隔层上的隔离层和牺牲层；在堆叠方向上，形成贯穿所述间隔层、所述隔离层和所述牺牲层的第一通孔和第二通孔；形成填充所述第一通孔的支撑柱；去除所述间隔层，以形成连线填充区；在所述连线填充区中形成连线结构，在所述第二通孔中形成与所述连线结构相连的存储叠层结构；去除所述支撑柱，以露出第一通孔；去除所述牺牲层，并在相邻所述间隔层之间形成字线；在所述第一通孔形成与所述连线结构相连的引线柱。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成间隔层以及交替堆叠于所述间隔层上的隔离层和牺牲层；在堆叠方向上，形成贯穿所述间隔层、所述隔离层和所述牺牲层的第一通孔和第二通孔；形成填充所述第一通孔的支撑柱；去除所述间隔层，以形成连线填充区；在所述连线填充区中形成连线结构，在所述第二通孔中形成与所述连线结构相连的存储叠层结构；去除所述支撑柱，以露出第一通孔；去除所述牺牲层，并在相邻所述间隔层之间形成字线；在所述第一通孔形成与所述连线结构相连的引线柱。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制造方法和半导体结构
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