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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：本发明实施例他提供的一种半导体制造方法以及制造系统，用于执行刻蚀工艺，未刻蚀的晶圆为来料晶圆，已完成刻蚀的晶圆为输出晶圆，所述方法包括：采集所述来料晶圆上多个位置点的第一工艺数据；基于所述第一工艺数据调整多个位置点对应的第一刻蚀工艺参数，增加多个位置点刻蚀后的均一性；采集所述输出晶圆的第二工艺数据；基于所述第二工艺数据调整来料晶圆的第二刻蚀工艺参数，增加输出晶圆之间的均一性；根据所述第一刻蚀工艺参数和所述第二刻蚀工艺参数对来料晶圆进行刻蚀。本发明实施例从前馈和反馈两个方向上对工艺参数进行了校正，从而更加精准的控制了当前工艺中形成结构的高度或厚度，进而提高了半导体器件的电学性能。
主权项：1.一种半导体制造方法，用于执行刻蚀工艺，未刻蚀的晶圆为来料晶圆，已完成刻蚀的晶圆为输出晶圆，所述方法包括：采集所述来料晶圆上多个位置点待刻蚀对象沟槽的第一工艺数据，所述沟槽内具有底部抗反射层，所述底部抗反射层的刻蚀速率随温度变化；基于所述第一工艺数据调整多个位置点对应的第一刻蚀工艺参数，增加多个位置点刻蚀后沟槽内底部抗反射层的高度均一性，所述第一刻蚀工艺参数为温敏参数，所述温敏参数是刻蚀速率随温度变化的数据；采集所述输出晶圆的第二工艺数据；基于所述第二工艺数据调整来料晶圆的第二刻蚀工艺参数，增加输出晶圆之间的均一性；根据所述第一刻蚀工艺参数和所述第二刻蚀工艺参数对来料晶圆的底部抗反射层进行刻蚀。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体制造方法以及制造系统
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