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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：提供了一种进一步减小以任意布局配置的配线的配线间电容的半导体装置。半导体装置1设置有：第一配线间绝缘层120，其设置在基板100上，并在与基板相反的一侧具有凹部；第一配线层130，其设置在第一配线间绝缘层的凹部的内部；密封膜140，其沿着第一配线层和第一配线间绝缘层的凹凸形状设置；第二配线间绝缘层220，其以覆盖凹部的方式设置在第一配线间绝缘层上，并且具有与凹部相对的平坦表面；以及空隙150，其设置在第二配线间绝缘层和第一配线层与第一配线间绝缘层之间。
主权项：1.一种半导体装置，其包括：第一配线间绝缘层，其设置在基板上，并在与所述基板相反的一侧具有凹部；第一配线层，其设置在所述第一配线间绝缘层的所述凹部的内部；密封膜，其沿着所述第一配线层和所述第一配线间绝缘层的凹凸形状设置；第二配线间绝缘层，其以覆盖所述凹部的方式设置在所述第一配线间绝缘层上，所述第二配线间绝缘层具有与所述凹部相对的平坦化表面；和间隙，其设置在所述第二配线间绝缘层、所述第一配线层和所述第一配线间绝缘层之间，其中，所述第一配线层的一部分的顶表面与所述基板的顶表面之间的距离小于所述第一配线间绝缘层与所述基板的所述顶表面之间的距离，且所述间隙进一步设置在所述第二配线间绝缘层与所述第一配线层的所述一部分之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 半导体装置和半导体装置的制造方法
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