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申请/专利权人：陈志佳
摘要：一种全彩发光器件具有：衬底，被形成为衬底层；缓冲层，形成在衬底层上；以及N‑掺杂层，形成在缓冲层上。第一双色蓝色绿色MQW有源区、负电极及第二双色蓝色绿色MQW有源区形成在N‑掺杂层上。第一P‑掺杂层形成在第一双色蓝色绿色MQW有源区上。第二P‑掺杂层形成在第二双色蓝色绿色MQW有源区上。第一P+掺杂层形成在第一P‑掺杂层上。第二P+掺杂层形成在第二P‑掺杂层上。第一正电极形成在第一P+掺杂层上。第二正电极形成在第二P+掺杂层上。具有红色发光材料的蓝色绿色LED发射全光谱。
主权项：1.一种全彩发光器件，包括：a.衬底，其中所述衬底被形成为衬底层；b.缓冲层，其中所述缓冲层形成在所述衬底层上；c.N-掺杂层，其中所述N-掺杂层形成在所述缓冲层上；d.第一双色蓝色绿色多量子阱有源区，形成在所述N-掺杂层上；e.第二双色蓝色绿色多量子阱有源区，形成在所述N-掺杂层上；f.负电极，其中所述负电极形成在所述N-掺杂层上；g.第一P-掺杂层，其中所述第一P-掺杂层形成在所述第一双色蓝色绿色多量子阱有源区上；h.第二P-掺杂层，其中所述第二P-掺杂层形成在所述第二双色蓝色绿色多量子阱有源区上；i.第一P+掺杂层，其中所述第一P+掺杂层形成在所述第一P-掺杂层上；j.第二P+掺杂层，其中所述第二P+掺杂层形成在所述第二P-掺杂层上；k.第一正电极，其中所述第一正电极形成在所述第一P+掺杂层上；l.第二正电极，其中所述第二正电极形成在所述第二P+掺杂层上；以及m.红色发光层，其中所述红色发光层安装在所述第二P+掺杂层之上，其中所述第一双色蓝色绿色多量子阱有源区被配置成当所述第一正电极具有~360mA的电流时输出具有介于450nm与475nm之间的峰值波长的蓝色出光，其中所述第一双色蓝色绿色多量子阱有源区被配置成当所述第一正电极具有40mA的电流时输出具有介于500nm与550nm之间的峰值波长的绿色出光。
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