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申请/专利权人：深圳平湖实验室
摘要：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子器件，涉及半导体技术领域，旨在解决半导体器件的控制极边缘漏电导致的半导体器件耐压性能差的问题。半导体器件包括：衬底、沟道层、势垒层、P型Ⅲ族氮化物层、第一极、第二极和控制极，P型Ⅲ族氮化物层位于势垒层远离衬底的一侧，控制极位于P型Ⅲ族氮化物层远离衬底的一侧，第一极和第二极位于沟道层远离衬底的一侧，控制极位于第一极和第二极之间；半导体结构器件还包括：P掺杂部，P掺杂部位于第二极和P型Ⅲ族氮化物层之间的势垒层远离衬底的一侧，P掺杂部的单位面积的受主浓度小于P型Ⅲ族氮化物层的单位面积的受主浓度。上述半导体器件应用于电子器件中，以实现数据的读取和写入操作。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底和在所述衬底的一侧依次设置的沟道层和势垒层；以及，P型Ⅲ族氮化物层，位于所述势垒层远离所述衬底的一侧；第一极、第二极和控制极，所述控制极位于所述P型Ⅲ族氮化物层远离所述衬底的一侧，所述第一极和所述第二极位于所述沟道层远离所述衬底的一侧，所述控制极位于所述第一极和所述第二极之间；P掺杂部，位于所述第二极和所述P型Ⅲ族氮化物层之间的所述势垒层远离所述衬底的一侧，所述P掺杂部的单位面积的受主浓度小于所述P型Ⅲ族氮化物层的单位面积的受主浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳平湖实验室 半导体器件及其制备方法、电子器件
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