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申请/专利权人：三菱电机株式会社
摘要：本公开的目的在于降低RC‑IGBT的制造成本。RC‑IGBT201具备具有单元区域、布线区域302以及终端区域301的半导体基板50。半导体基板50在IGBT区域10、二极管区域20、布线区域302以及终端区域301内具备设置于漂移层1的第一主面S1侧的第二导电型的扩散层。扩散层包括：IGBT区域10中的基极层15、二极管区域20中的阳极层25、布线区域302中的布线阱层35、以及终端区域301中的终端阱层31。基极层15的深度小于多个沟槽栅极11、21、36的深度，并且为阳极层25、布线阱层35以及终端阱层31的深度以上。
主权项：1.一种RC-IGBT，具备半导体基板，该半导体基板具有：包括IGBT区域和二极管区域在内的单元区域、包围所述单元区域的终端区域、以及设置于所述单元区域与所述终端区域之间的布线区域，其特征在于，所述半导体基板具有：第一主面、和作为与所述第一主面相反侧的主面的第二主面，所述半导体基板具备：第一导电型的漂移层，其设置于所述单元区域、所述布线区域以及所述终端区域；和第二导电型的扩散层，其在所述IGBT区域、所述二极管区域、所述布线区域以及所述终端区域内设置于所述漂移层的所述第一主面侧，所述扩散层包括：所述IGBT区域中的基极层、所述二极管区域中的阳极层、所述布线区域中的布线阱层、以及所述终端区域中的终端阱层，在所述半导体基板形成有从所述第一主面贯通所述扩散层而到达所述漂移层的多个沟槽栅极，所述多个沟槽栅极包括：所述IGBT区域中的多个有源沟槽栅极、所述二极管区域中的多个二极管沟槽栅极、以及所述布线区域中的多个布线沟槽栅极，所述基极层的深度小于所述多个有源沟槽栅极的深度，并且为所述阳极层、所述布线阱层以及所述终端阱层的深度以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 反向导通绝缘栅双极型晶体管
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