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申请/专利权人：合肥矽普半导体科技有限公司
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种制作屏蔽栅沟槽器件的方法。制作屏蔽栅沟槽器件的方法，依次包括如下步骤：步骤S1，提供一衬底，衬底上的外延层的有源区沟槽内生长有一源极侧壁介质层，源极侧壁介质层内沉淀有一源极多晶硅；步骤S2，对源极多晶硅进行回蚀刻；步骤S3，在源极多晶硅上生长热氧形成一层氧化物并去除部分源极侧壁介质层和氧化物，形成一氧化物介质热氧层；步骤S4，填充形成HDP氧化物，并去除上部HDP氧化物形成氧化物介质填充层。本发明通过改善工艺流程，使得沟槽临界开口的深宽比减少，在填充HDP后，避免出现填充空洞。
主权项：1.一种制作屏蔽栅沟槽器件的方法，其特征在于，依次包括如下步骤：步骤S1，提供一衬底，所述衬底上的外延层的有源区沟槽内生长有一源极侧壁介质层，所述源极侧壁介质层内沉淀有一源极多晶硅；步骤S2，对所述源极多晶硅进行回蚀刻；步骤S3，在所述源极多晶硅上生长热氧形成一层氧化物并去除部分所述源极侧壁介质层和氧化物，形成一氧化物介质热氧层；步骤S3中，在所述源极多晶硅上生长热氧时消耗源极多晶硅，使所述有源区沟槽中心深度：所述源极多晶硅的高度为100：50；步骤S3中，所述有源区沟槽中心深度：生长热氧所形成的一层氧化物的厚度为100：14.5-100：16.5；步骤S3中，所述有源区沟槽中心深度：氧化物介质热氧层的厚度为100：8-100：10；步骤S3中，所述源极侧壁介质层和所形成的所述氧化物介质热氧层高度齐平；步骤S4，填充形成HDP氧化物，并去除上部HDP氧化物形成氧化物介质填充层；步骤S4中，在所述有源区沟槽内填充高密度等离子体以形成HDP氧化物，填充高密度等离子体的填充深宽比为1.0-1.9。
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权利要求：
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