龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：模制层，所述模制层限定沟槽；以及导电结构，所述导电结构设置在所述沟槽上。所述导电结构包括导电层和衬垫，并且所述导电层包括上部和下部。所述衬垫包括基体部和位于所述基体部上的侧壁部，并且所述导电层的所述上部设置在比所述衬垫的所述侧壁部高的高度。所述衬垫的所述侧壁部介于所述导电层的所述下部与所述模制层之间，并且所述衬垫的所述基体部的顶表面与所述导电层的所述下部的底表面接触。所述衬垫的所述侧壁部的宽度随着高度增大而减小。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：模制层，所述模制层限定沟槽；以及导电结构，所述导电结构设置在所述沟槽上，其中，所述导电结构包括：导电层和衬垫，所述导电层包括上部和下部，所述衬垫包括基体部和位于所述基体部上的侧壁部，其中，所述导电层的所述上部设置在比所述衬垫的所述侧壁部高的高度，其中，所述衬垫的所述侧壁部介于所述导电层的所述下部与所述模制层之间，所述衬垫的所述基体部的顶表面与所述导电层的所述下部的底表面接触，并且所述衬垫的所述侧壁部的宽度随着所述衬垫的垂直高度增大而减小。
全文数据：
权利要求：
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号