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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件，包括：衬底，该衬底包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；有源图案，在衬底的第一表面上并沿第二方向延伸；场绝缘膜，在衬底的第一表面上并覆盖有源图案的侧壁；电力轨，在衬底的第二表面上并沿第二方向延伸；过孔沟槽，在有源图案的一侧并穿过场绝缘膜；以及电力轨过孔，填充过孔沟槽并连接到电力轨，其中，电力轨过孔包括：第一子膜，形成为单层膜；以及第二子膜，在第一子膜上，并且包括沿过孔沟槽的内侧壁延伸的阻挡膜、以及阻挡膜之间的填充膜。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；有源图案，设置在所述衬底的所述第一表面上并沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；场绝缘膜，设置在所述衬底的所述第一表面上并覆盖所述有源图案的侧壁；电力轨，设置在所述衬底的所述第二表面上并沿所述第二方向延伸；过孔沟槽，设置在所述有源图案的一侧并穿过所述场绝缘膜；以及电力轨过孔，填充所述过孔沟槽并连接到所述电力轨，其中，所述电力轨过孔包括：第一子膜，形成为单层膜；以及第二子膜，设置在所述第一子膜上，其中，所述第二子膜包括沿所述过孔沟槽的内侧壁延伸的多个阻挡膜、以及设置在所述多个阻挡膜中的相邻阻挡膜之间的填充膜。
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